ترانزیستور


ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک
می‌‌شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه
رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیوم ساخته می‌شود.یک ترانزیستور در ساختار
خود دارای پیوندهایپیوند نوع N و پیوند نوع P می باشد.


معرفی

ترانزیستورهای
جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی(BJTs) و
ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها
بیین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می
دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می شود. مشخصات ترانزیستورها به
نوع آن بستگی دارد. مدل های ترانزیستور را ببینید. لغت "ترانزیستور" به نوع
اتصال نقطه ای آن اشاره دارد، اما این نوع فقط در کاربردهای محدود تجاری
دیده می شد که در اوایل دهه 1950 انواع کاربردی تر آن یعنی نوع اتصال
دوقطبی جایگزین شدند. نماد شماتیک و خود لغت "ترانزیستور" که امروزه بطور
گسترده ای برای آن بکار می روند، چیزهایی هستند که به این قطعات قدیمی
اشاره دارد.[1] برای یک زمان کوتاه در اوایل دهه 1960، بعضی از سازنده ها و
ناشران مجله های الکترونیک شروع به جایگزینی سمبل قدیمی با سمبل هایی را
کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان می داد،
اما این ایده خیلی زود رها شد. در مدارات آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت
کننده ها استفاده می شوند، (تقویت کننده های جریان مستقیم، تقویت کننده های
صدا، تقویت کننده های امواج رادیویی) و منابع تغذیه تنظیم شده خطی. همچنین
از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می
شوند، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در
مدارات مجتمع یکپارچه بکار می روند. مدارات دیجیتال شامل گیت های منطقی،
حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، میکروپروسسورها و پردازنده های سیگنال
دیجیتال (DSPs) هستند.

اهمیت

ترانزیستور از سوی بسیاری بعنوان یکی از بزرگترین اختراعات
در تاریخ نوین مطرح شده است، در رتبه بندی از لحاضظ اهمیت در کنار ماشین
چاپ، خودرو و ارتباطات الکترونیکی و الکتریکی قرار دارد. ترانزیستور عنصر
فعال کلیدی در الکترونیک مدرن است. اهمیت ترانزیستور در جامعه امروز متکی
به قابلیت آن برای تولید انبوه که از یک فرآیند (ساخت) کاملاً اتماتیک که
قیمت تمام شده هر ترانزیستور در آن بسیار ناچیز است استفاده می کند. اگرچه
ملیون ها ترانزیستور هنوز تکی (به صورت جداگانه) استفاده می شوند ولی
اکثریت آنها به صورت مدار مجتمع (اغلب به صورت مختصر IC و همچنین میکرو چیپ
یا به صورت ساده چیپ نامیده می شوند) همراه با دیودها، مقاومت ها، خازن ها
و دیگر قطعات الکترونیکی برای ساخت یک مدار کامل الکترونیک ساخته می
شوند.یک گیت منطقی حاوی حدود بیست ترانزیستور است در مقابل یک ریزپردازنده
پیشرفته سال 2006 که می تواند از بیش از 7/1 ملیون ترانزیستور استفاده کند
(ماسفت ها)[1]. قیمت کم، انعطاف پذیری و اطمینان از ترانزیستور یک قطعه همه
کاره برای وظایف غیرمکانیکی مثل محاسبه دیجیتال ساخته است. مدارات
ترانزیستوری به خوبی جایگزین دستگاه های کنترل ادوات و ماشین ها شده اند.
استفاده از یک میکروکنترلر استاندارد و نوشتن یک برنامه رایانه ای که عمل
کنترل را انجام می دهد اغلب ارزان تر و موثرتر از طراحی معادل مکانیکی آن
می باشد. بعلت قیمت کم ترانزیستورها و ازینرو رایانه ها گرایشی برای
دیجیتال کردن اطلاعات وجود دارد. با رایانه های دیجیتالی که توانایی
جستوجوی سریع، دسته بندی و پردازش اطلاعات دیجیتال را ارائه می کنند، تلاش
بیشتری برای دیجیتال کردن اطلاعات شده است.در نتیجه امروزه داده رسانه های
بیشتری به دیجیتال تبدیل می شوند، در پایان توسط رایانه تبدیل شده و به
صورت آنالوگ در اختیار قرار می گیرد. تلوزیون، رادیو و روزتامه ها چیزهایی
هستند که تحت تاثیر این انقلاب دیجیتال واقع شده اند.

مزایای ترانزیستورها بر لامپ های خلإ

قبل از گسترش ترانزیستورها، لامپ های خلإ (یا در UK لاپ های
ترمیونیک یا فقط لامپ ها) قطعات فعال اصلی تجهیزات الکترونیک بودند.
مزایای کلیدی که به ترانزیستورها اجازه جایگزینی با لامپ های خلإ سابق در
بیشتر کاربردها را داد در زیر آمده است: اندازه کوچک تر (با وجود ادامه
کوچک سازی لامپ های خلإ) تولید کاملاً اتوماتیک هزینه کمتر (در حجم تولید)
امکان ولتاژ کاری پایین تر ( اما لامپ های خلإ در ولتاژهای بالاتر می
توانند کار کنند) نداشتن دوره گرم شدن (بیشتر لامپ های خلإ به 10 تا 60
ثانیه زمان برای عملکرد صحیح نیاز دارند) تلفات توان کمتر (نداشتن توان
گرمایی،ولتاژ اشباع خیلی پایین) قابلیت اطمینان بالاتر و سختی فیزیکی
بیشتر( اگرچه لامپ های خلإ از نظر الکتریکی مقاوم ترند. همچنین لامپ خلإ در
برابر پالس های الکترومغناطیسی هسته ای (NEMP) وتخلیه الکترو استاتیکی
(ESD) مقاوم ترند عمر خیلی بیشتر (قطب منفی لامپ خلإ سرانجام ازبین می رود و
خلإ آن می تواند آلوده بشود) فراهم آوردن دستگاه های مکمل (امکان ساختن
مدارات مکمل متقارن: لامپ خلإ قطبی معادل نوع مثبت BJTها و نوع مثبت FETها
در دسترس نیست) قابلیت کنترل جریان بالا (ترانزیستورهای قدرت بریای کنترل
صدها آمپر در دسترسند، لامپ های خلإ برای کنترل حتی یک آمپر بسیار بزرگ و
هزینه برند) میکروفونیک بسیار کمتر (لرزش می تواند با خصوصیات لامپ خلإ
تلفیق شود، به هر حال این ممکن است در صدای تقویت کننده های گیتار شرکت
کند) "طبیعت از لامپ خلإ متنفر بود" (Myron Glass John R. Pierce را
ببینید)، آزمایشگاه های تلفن بل، در حدود 1948

تاریخچه

اولین سه حق ثبت اختراع ترانزیستور اثرمیدان در سال 1928 در
آلمان توسط فیزک دانی به نامJulius Edgar Lilienfeld ثبت شد، اما او هیچ
مقاله ای در باره قطعه اش چاپ نکرد و این سه ثبت اختراع از طرف صنعت نادیده
گرفته شد. در سال 1934 فیزیکدان آلمانی دکتر Oskar Heil ترانزیستور اثر
میدان دیگری را به ثبت رساند. هیچ مدرک مستقیمی وجود ندارد که این قطعه
ساخته شده است، اما بعداً کارهایی در دهه 1990 نشان داد که یکی از طرح های
Lilienfeld کار کرده و گین قابل توجه ای داده است. اوراق قانونی از
آزمایشگاه های ثبت اختراع بل نشان می دهد که Shockley و Pearson یک نسخه
قابل استفاده از اختراع Lilienfeld ساخته اند، در حالی که آنها هیچگاه این
را در تحقیقات و مقالات خود ذکر نکردند. ترانزیستورهای دیگر، R. G. Arns در
16 دسامبر 1947 Wiliam Shockley, John Bardan و Walter Brattain موفق به
ساخت اولین ترانزیستور اتصال نقطه ای در آزمایشگاه بل شدند. این کار با
تلاش های زمان جنگ برای تولید دیودهای مخلوط کننده ژرمانیم خالص "کریستال"
ادامه یافت، این دیودها در واحدهای رادار بعنوان عنصر میکسر فرکانس در
گیرنده های میکروموج استفاده می شد. یک پروژه موازی دیودهای ژرمانیم در
دانشگاه Purdue موفق شد کریستال های نیمه هادی ژرمانیم را با کیفیت خوب که
در آزمایشگاه های بل استفاده می شد را تولید کند.[2] سرعت سوئیچ تکنولوژی
لامپی اولیه برای این کار کافی نبود، همین تیم Bell را سوق داد تا از
دیودهای حالت جامد به جای آن استفاده کنند. آنها با دانشی که در دست داشتند
شروع به طراحی سه قطبی نیمه هادی کردند، اما دریافتند که کار ساده ای
نیست. Bardeen سرانجام یک شاخه جدید فیزیک سطحی را برای محاسبه رفتار عجیبی
که دیده بودند ایجاد کرد و سرانجام Brattain و Bardeen موفق به ساخت یک
قطعه کاری شدند. آزمایشگاه های تلفن بل به یک اسم کلی برای اختراع جدید
نیاز داشتند: "سه قطبی نیمه هادی"، "سه قطبی جامد"، "سه قطبی اجزاء سطحی"،
"سه قطبی کریستال" و "لاتاتورن" که همه مطرح شده بودند، اما "ترانزیستور"
که توسط John R. Pierce ابداع شده بود، برنده یک قرعه کشی داخلی شد. اساس
وبنیاد این اسم در یاداشت فنی بعدی شرکت رای گیری شد: ترانزیستور، این یک
ترکیب مختصر از کلمات "ترانسکانداکتانس" یا "انتقال" و "مقاومت متغیر" است.
این قطعه منطقاً متعلق به خانواده مقاومت متغیر می باشد و یک امپدانس
انتقال یا گین دارد بنابراین این اسم یک ترکیب توصیفی است. -آزمایشگاه های
تلفن بل- یاداشت فنی(28 می 1948) Pierce این نام را قدری متفاوت تفسیر کرد:
دلیلی که من این نام را انتخاب کردم این بود که من فکر کردم این قطعه چکار
می کند، در آن زمان تصور می شد که این قطعه مثل دو لامپ خلإ است. لامپ های
خلإ هدایت انتقالی دارند بنابراین ترانزیستور مقاومت انتقالی دارد. و این
اسم می بایست متناسب با نام دیگر قطعات مثل وریستور، ترمیستور باشد. و من
اسم ترانزیستور را پیشنهاد کردم. PBC Show مصاحبه با john R. Pierce بل
فوراً ترانزیستور تک اتصالی را جزء تولیدات انحصاری شرکت Western Electric،
شهر Allentown در ایالت Pennsylvania قرار داد. نخستین ترانزیستورهای
گیرنده های رادیو AM در معرض نمایش قرار گرفتند، اما در واقع فقط در سطح
آزمایشگاهی بودند.بهرحال در سال 1950 Shockley یک نوع کاملاً متفاوت
ترانزیستور را ارائه داد که به ترانزیستور اتصال دوقطبی معروف شد. اگرچه
اصول کاری این قطعه با ترانزیستور تک اتصالی کاملاً فرق می کند، قطعه ای
است که امروزه به عنوان ترانزیستور شناخته می شود. پروانه تولید این قطعه
نیز به تعدادی از شرکت های الکترونیک شامل Texas Instrument که تعداد
محدودی رادیو ترانزیستوری بعنوان ابزار فروش تولید می کرد داده شد.
ترانزیستورهای اولیه از نظر شیمیایی ناپایدار بودند و فقط برای کاربردهای
فرکانس و توان پایین مناسب بودند، اما همینکه طراحی ترانزیستور توسعه یافت
این مشکلات نیز کم کم رفع شدند. اگرچه اغلب نادرست به Sony نسبت داده می
شود، ولی اولین رادیو ترانزیستوری تجاری Regency TR-1 بود که توسط Regency
Division از I.D.E.A (گروه مهنسی توصعه صنعتی) شهر Indianapolis ایالت
Indiana ساخته شده و در 18 اکتبر 1954 اعلام شد. آین رادیو در نوامبر 1954
به قیمت 95/49 دلار(معادل با 361 دلار در سال 2005) به فروش گذاشته شد و
تعداد 150000 از آن به فروش رفت. این رادیو از 4 ترانزیستور استفاده می کرد
وبا یک باتری 5/22 ولتی راه اندازی می شد. هنگامیکه Masaru Ibuka ، موسس
شرکت ژاپنی سونی از آمریکا دیدن می کرد آزمایشگاه های بل ارائه مجوز ساخت
شامل ریز دستوراتی مبنی بر چگونگی ساخت ترانزیستور را اعلام کرده بودند.
Ibuka مجوز خرید 50000 دلاری پروانه تولید را از وزیر دارایی ژاپن گرفت و
در سال 1955 رادیوی جیبی خود را تحت مارک سونی معرفی کرد. (کلمه جیبی اشاره
دارد به مطلب بدنامی سونی وقتیکه فروشنده آنها پیراهن مخصوصی با جیب های
بزرگ داشت). این محصول بزودی با طرح های بلند پروازانه ادامه پیدا کرد، اما
آنها بعنوان آغاز رشد شرکت سونی از طرف عموم مورد توجه قرار می گرفتند تا
سونی به یک قدرت تولیدی تبدیل شد. بعد از دو دهه ترانزیستورها بتدریج جای
لامپ های خلإ را در بسیاری از کاربردها گرفتند و بعد ها امکان تولید دستگاه
های جدیدی از قبیل مدارات مجتمع و رایانه های شخصی را فراهم آوردند. از
Shockley, Bardeen و Brattian بخاطر تحقیقاتشان در مورد نیمه هادی ها وکشف
اثر ترانزیستر با جایزه نوبل فیزیک قدردانی شد. Bardeen می رفت که دومین
جایزه نوبل فیزیک را دریافت کند، یکی از دو نفری که بیش از یک جایزه از یک
متد می گرفت. اولین ترانزیستور Gallium-Arsenide Schottky-gate توسط Carver
Mead ساخته و در سال 1966 گزارش داده شد.

کاربرد

ترانزیستور دارای 3 ناحیه کاری میباشد.ناحیه قطع/ناحیه
فعال(کاری یا خطی)/ناحیه اشباع ناحیه قطع حالتی است که ترانزیستور در ان
ناحیه فعالیت خاصی انجام نمیدهد.اگر ولتاژ بیس را افزایش دهیم ترانزیستور
از حالت قطع بیرون امده و به ناحیه فعال وارد میشود در حالت فعال
ترانزیستور مثل یک عنصر تقریبا خطی عمل میکند اگر ولتاژ بیس را همچنان
افزایش دهیم به ناحیه ای میرسیم که با افزایش جریان ورودی در بیس دیگر شاهد
افزایش جریان بین کلکتور و امیتر نخواهیم بود به این حالت میگویند حالت
اشباع و اگر جریان ورودی به بیس زیاد تر شود امکان سوختن ترانزیستور وجود
دارد. ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک
دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. درمدارات آنالوگ ترانزیستور در حالت
فعال کار میکند و می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ
(رگولاتور) و ... استفاده کرد. و در مدارات دیجیتال ترانزیستور در دو
ناحیه قطع و اشباع فعالیت میکند که میتوان از این حالت ترانزیستور در پیاده
سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و ... استفاده کرد.به جرات می توان
گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است

انواع

دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی
پیوندی) (Bypolar Junction Transistors) و FET (ترانزیستور اثر میدان)
(Field Effect Transistors) هستند. ترانزیستورهای اثزمیدان یا FET‌ها نیز
خود به دو دسته ی ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET) و MOSFET‌ها (Metal
Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند.

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

در ترانزیستور دو قطبی
پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و
امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته
می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع،
فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های
دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود. امروزه
بجای استفاده از مقاومت وخازن و...در مدارات مجتمع
تمامآازترانزیستوراستفاده می کنند

ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET)

در ترانزیستورهای
JFET(Junction Field Effect Transistors( در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ
به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود.
ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته
می‌شوند.نواحی کار این ترانزستورها شامل "فعال" و "اشباع" و "ترایود" است
این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود
است و به سختی مجتمع می‌شوند.

انواع ترانزیستور پیوندی

pnp

شامل سه
لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت
اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با
جهت جریان یکی است.

npn

شامل سه لایه نیم‌ هادی که دو لایه
کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای
قطعه ی pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط
ساخت.


ساختمان ترانزیستور پیوندی ترانزیستور دارای دو پیوندگاه
است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل
ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً
دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم.
میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش
ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه
می‌گردد.


امیتر که به شدت آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق
الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن
ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور
می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از
آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

طرز
کار ترانزیستور پیوندی طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد
بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط
اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه
مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی
الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور
را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر
می‌شود.

الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند،
بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده، به ناحیه کلکتور می‌رسند و
تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت
به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است.

شیوه ی اتصال ترازیستورها

اتصال بیس مشترک در این
اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای
انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها
می‌شود.


اتصال امیتر مشترک مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر
روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین
بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی
امپدانس خروجی مدار بالا می‌باشد.


اتصال کلکتور مشترک اتصال
کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت
قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور
مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته
می‌شود.

ترانزیستور اثر میدان MOS

این ترانزیستورها نیز
مانند Jfet‌ها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است.
همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو
نوع PMOS و NMOS هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی
CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی
مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی
دارند.

به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند.

البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند. بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند AMB

ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت


ترانزیستور
اثر میدانی ( فت ) - FET همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه
کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون
نیمه هادی ، جریان عبوری از FET کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار
هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار
بالایی دارد.

فت دارای سه پایه با نهامهای درِین D - سورس S و گیت G
است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها
دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت
نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها
معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می گردند.
به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.

نوع دیگر
ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید
فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor ) یکی
از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.

فت ها
در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست
کردن فت کانال N با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا می کنیم. یعنی پایه
ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر
مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت
پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می توان پایه درین را از سورس
تشخیص داد.

      درباره ترانزیستور

سه نفر از دانشمندان لابراتوارهای بل در صدد کشف
چیزی بودند که به جای لامپ رادیو به کار برند ولی کوچکتر و محکمتر باشد برق
کمتری مصرف کند و دوام بیشتری داشته باشد و برر اثر کار زیاد نسوزد که
ناگهان ترانزیستور را کشف کردند که تمام این خصوصیات را به علاوه مزایای
بیشتری دارا است.

در 30 ژوئن 1948 دکتر جان باردین و والد براتاین
دانشمندان آزمایشگاه تحقیقاتی شرکت بل، واقع در نیویورک خبر اختراع خود را
به عموم جهان رساندند. این اختراع ترانزیستور نام گرفت.

یک ترانزیستور که بزرگتر از یک عدس نیست تقریباْ قادر است هر کاری را که
لامپ‌های خلاء انجام می‌دادند، انجام دهد. به علاوه کارهایی را هم که این
لامپها قادر به انجام آن نبودند انجام می‌دهد. به مرور زمان ترانزیستور جای
لامپهای خلاء را گرفت. درست مثل اتومبیل که جای گاریهای قدیمی و اسبی را
گرفت.

اگر چه ترانزیستور می تواند کارهای لامپ خلاء را انجام دهد، اما اصلاْ
شباهتی به آن ندارد. نه کاتدی دارد و نه شبکه و صفحه ای حتی شکل ظاهری آن
هم با لامپ خلاء کاملاْ متفاوت است. ترانزیستور یک وسیله یک سو کننده و
نوسان ساز بسیار عالی است و رل مهمی در تمامی صنایع جدید به عهده دارد.
ترانزیستور بدون آنکه نیازی به گرم شدن داشته باشد به محض برقراری اتصال و
ولتاژ شروع به کار می کند. جریان مصرفی آن، یک هزارم جریان مصرفی لامپ
معمولی است. به همین دلیل بسیار ارزانتر و استفاده از آْن ساده‌تر است.

ترانزیستور و مدار کوچک یکپارچه این امکان را به وجود آورد که رادیوهای کوچک جیبی و
تلویزیونهای کوچکتر با تصویر بزرگتر ساخته شود. یک صنعت کاملا جدید پا به
عرصه وجود گاشت. امروز از برکت دستگاه تنظیم قلب که با ترانزیستور کار می
کند قلب بسیاری از بیماران به حال عادی می طپد. نابینایان با کمک دستگاههای
ترانزیستوری می توانند موانع را ببینند نوار قلبی بیمار بستری را به وسیله
تلفن به کارشناس قبل در هر نقطه دنیا که باشد می فرستند. هواپیماهای جت با
سیستم هدایت سبک وزنی مجهز هستند و بالاخره همین مدار بسته یکپارچه است که
امکانات سفر بشر به ماه را فراهم نمود.

مصرف ترانزیستور به طور روزافزونی رو به ازدیاد است. در رادیو، تلویزیون، مدارات الکترونیکی،
هواپیما، رایانه، پزشکی و موشک ترانزیستور استفاده می‌شود. در ابتدا وجود
ترانزیستور باعث شد که ارتباطات تلفنی راه دور، به طور مستقیم و بدون
استفاه از اپراتور امکان پذیر شود. برای اولین بار در تاریخ، ارتباط بین دو
شهر انگل وود و نیوجرسی با استفاده از ترانزیستور برقرار شد.

امروزه بعد از گذشت حدود نیم قرن ازاختراع ترانزیستور و مشتقات آن کار به جایی
رسیده است که هر کس می تواند در منزل رایانه شخصی داشته باشد. ترانزیستور
معمولی چیزی بیشتر از دو تکه سیم بسیار کوچک که در یک پولک ساخته شده از
ژرمانیم یا سیلیکن قرار داده شده نیست.

تئوری کار ترانزیستور کمی
پیچیده و تکنیکی است اما هر چه هست در ساخت آن از خواص نیمه رسانا استفاده
شده است که از زمان کشف آن مدت زیادی نمی گذرد.

در نیمه رساناها مثل ژرمانیم و سیلیکن تعداد کمی الکترون حامل جریان وجود دارد شاید یک الکترون
در هر یک میلیون اتم. اگر چه این رقم خیلی کوچک است، اما می توان با تغییر
ساختمان داخلی مواد، با استفاده از میدانهای الکتریکی این رقم را هزار
برابر نمود.

برای روشن تر شدن مفهوم بالا باید ساختمان اتم را کمی
بیشتر مطالعه کرد. الکترونهای موجود در مواد نارسانا در مدارهای مختلف
بهصورت حلقه ای در اطراف هسته اتم در چرخش هستند و سرعت زیاد و تولید انرژی
فراوان سبب می شود که الکترونها نتوانند از مسیر خود منحرف و یا جابجا
شوند.

در نتیجه الکترونها امکان برقراری هیچ نوع جریان الکتریکی را
نمی یابند. در اجسام نارسانا، پوسته الکترونی و یا باند ظرفیتی آن(آخرین
حلقه الکترون دار به دور هسته اتم) از باند هدایت جدا بوده و انرژی بسیار
زیادی لازم است تا یک الکترون را از پوسته الکترونی جدا کند و به باند
هدایت کننده بفرستد. اما در اجسام رسانا مانند فلزات این پوسته الکترونی یا
باند هدایت کننده تداخل پیدا کرده و الکترونهای به راحتی جابجا می شوند.

در یک عنصر نیمه رسانا مانند ژرمانیم و یا سیلیکن الکترونهای موجود در باند
ظرفیت نزدیک به باند هدایت کننده قرار ندارند اما می توان با تحریک خارجی
آنها را در هم داخل کرد. به طور مثال گرمای محیط و اتاق می تواند تعداد
زیادی الکترونهای اتم ژرمانیم را به باند هدایت بفرستد و در اثر این
جابجایی حفره هایی در محل های قبلی الکترونها به وجود می آید.

این حفره ها حامل بار مثبت بوده و حاضر به پذیرش الکترونهای عناصر قبلی و مواد
دیگر هستند. حفره ها نه تنها الکترونها را می پدیرند بلکه خود به طرف باند
هادی حرکت می کنند و در اثر این حرکت جریانی را به وجود می آورند و در عین
حال الکترونها را هم در مسیر همین جریان با خود حمل می کنند.

کمترین تحریک خارجی حفره ها را در جهت حفره هایی که از فرار لکترونها به سمت باند
هادی به وجود آمده است به حرکت درآورده و این حفره های متحرک علاوه بر
اینکه خود تولید جریان می نمایند، الکترونهایی را که از مواد خارجی دیگر به
داخل اتم ژرمانیم وارد شده اند حمل کرده و در نتیجه باعث افزایش جریان می
شوند.

تشریحات آزمایشگاه تحقیقاتی بل در اول جولای سال 1948 چنین می
گوید: کار ترانزیستور بر پایه این حقیقت که الکترونهای موجود در نیمه
رساناها می توانند به دو صورت متفاوت جریان را برقرار کنند، قرار دارد.
بیشتر الکترونهای موجود در نیمه رسانا اصولاٌ‌ کمکی به برقراری جریان نمی
کنند. بلکه آنها در وضعیت ثابتی به هم چسبیده اند.

درست مثل اینکه آنها را با چسب به هم چسبانده باشند. تنها وقتی که یکی از این الکترونها از
جای خود خارج شود و یا به طریقی یک الکترون خارجی به مجموعه آنها وارد
شود، جریان برقرار می شود. به زبان دیگر اگر یکی از الکترونهای موجود در
مجموعه به هم چسبیده از محل خود جدا شود حفره ای که در اثر این جابجایی
بوجود می آید مانند حباب هوای موجود در مایع می تواند حرکت کند و جریانی را
برقرار سازد.

در ترانزیستوری که از واد نیمه رسانا ساخته شده است
به طور معمول فقط در اثر ورود الکترون اضافی شروع به برقراری جریان می کند.
جریان از نقطه ورود الکترون که ولتاژ مثبت کمی دارد شروع به حرکت کرده و
از محل خروج الکترون خارج می شود ولتاژ نقطه خروجی ولتاژ منفی بیشتری دارد.

بعداز اختراع ترانزیستور و به وجود آمدن انواع گوناگون آن مدارهای مجتمع
اختراع شد. به این قطعات آی سی می گویند. آی سی ممکن است گاهی صدها
ترانزیستور ساخته شده باشد که داخل یک قطعه 3*1 سانتیمتری قرار گرفته اند.
اختراع آی سی تحول عظیم دیگری را در صنعت الکترونیک به وجود آورد. در ادامه
تحقیقات و پیشرفتهایی که در زمینه ساخت آی سی به دست آمد، آی سی های
برنامه ریزی شده اختراع شدند در یک آی سی برنامه ریزی شده که ابعادی معادل
8*2 سانتیمتر دارد میلیونها حافظه وجود دارد.

اختراع رایانه های خانگی مدیون وجود آی سی هاست که همه آنها به وجود ترانزیستور و اختراع آن مربوط می شود.